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等離子去膠機和清洗系統是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用PC控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有*的能力:可以從PE等離子刻蝕切換到RIE刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。等離子去膠機的工作原理：等離子去膠法，去膠氣體為氧氣。其工作原理是將硅片置于真空反應系統中，通入少量氧氣，加1500V高壓，由高頻信號發生器產生高頻信號，使石英管內形成強的電磁場，使氧氣電離，...

光學鍍膜設備是現代光學和光電系統重要的組成部分，在光通信、光學顯示、激光加工、激光核聚變等高科技及產業領域已經成為核心元器件，其技術突破常常成為現代光學及光電系統加速發展的主因。光學薄膜的技術性能和可靠性，直接影響到應用系統的性能、可靠性及成本。隨著行業的不斷發展，精密光學系統對光學鍍膜設備的光譜控制能力和精度要求越來越高，而消費電子對光學薄膜器件的需求更強調超大的量產規模和普通大眾的易用和舒適性。光學鍍膜設備在過去幾十年實現了長足的進展，從舟蒸發、電子束熱蒸發及其離子束輔助...

上周NMC專業的售后服務工程師至渭南師范學院完成了原子層沉積系統NLD-3000的安裝調試，并順利驗收！NLD-3000是一款PC全自動工藝控制的臺式ALD系統，包含完整的安全聯鎖功能，能夠沉積氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、金屬等高品質的薄膜，達到光學級別的表面粗糙度。陽極氧化鋁腔體采用內外雙層上下結構設計，加熱腔壁和氣動升降頂蓋，一鍵實現頂蓋開啟/閉合。系統集成快速脈沖傳輸閥和多孔大面積加熱的ALD過濾器，可吸收多余前驅體。工藝程序、溫度設定值、氣體流量、抽真空卸真空工序...

原子層沉積前驅體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅體種類較少而且價格昂貴；傳統熱原子層沉積技術因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規模工業生產；隨著原子層沉積技術與其他先進技術不斷融合以及人們對原子層沉積設備的不斷改進，諸如“等離子體增強原子層沉積技術”、“空間式原子層沉積技術”、“流化床原子層沉積技術”等新型原子層沉積技術逐漸出現并在一定程度上有效解決了傳統熱原子層沉積技術所面臨的諸多難題。一套成熟的空間式原子層沉積設備需保證每小時超...

原子層沉積技術經過四十多年的發展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上，都已經取得了長足進步，在眾多領域更是展現出令人期待的商業前景。但傳統的熱原子層沉積技術在發展過程中仍面臨著一些挑戰。比如：原子層沉積前驅體往往都是金屬有機化合物，合適的前驅體種類較少而且價格昂貴；傳統熱原子層沉積技術因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規模工業生產；此外，熱原子層沉積技術難以用來沉積金屬Ti，Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術與其他先...

ICP刻蝕機作為核心刻蝕工藝設備，其工藝表現將直接影響鰭式晶體管器件的工藝性能和良率，憑借其優良的刻蝕形貌控制、均勻性控制、較低刻蝕損傷、較高刻蝕選擇比等方面的技術優勢，隨著半導體工藝技術的發展，濕法刻蝕由于其固有的局限性，已不能滿足超大規模集成電路微米、甚至納米級細線條的工藝加工要求，干法刻蝕逐漸發展起來。在干法刻蝕中，感應耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma簡稱ICP)刻蝕法由于其產生的離子密度高、蝕刻均勻性好、蝕刻側壁垂直度高以及光潔度好，逐漸...

在各種集成電路的制造過程中，隨著清洗方法的不斷創新與聯合應用，目前的硅片清洗機已不再是一個簡單的制作步驟，而是一個系統的清洗工程。硅片清洗技術的革新與發展，推動了清洗設備制造企業加大研發力度，不僅僅是制造出設備，從某個角度來說，還需根據各家硅片生產企業的具體情況提供不同的清洗方案和設備定制設計，幫客戶大限度地降低成本和減少損失，同時盡量減少清洗設備本身可能帶來的沾污。未來的硅片清洗機將向整合性，集成化與全自動的方向發展。由于硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性和成品率...

硅片清洗機不僅保留了超聲波清洗的優點，而且克服了超聲波清洗的缺點。兆聲無損清洗機的工作原理是利用高能（850kHz）頻率效應和化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗。在清洗過程中，換能器發出的高能聲波波長為1m，頻率為0.8MHZ。在聲波的驅動下，溶液的分子運動得更快。瞬時速度可達30cm/s。因此，無法形成超聲清洗等氣泡。相反，硅片清洗機只能用高速的流體波不斷地沖擊晶圓片表面，迫使附著在晶圓片表面的微小污染物顆粒被去除并進入清洗溶液中。經濟的發展，人們的生活水平不斷提高，對消費...